(от лат. acceptor - принимающий) - примесь в полупроводнике, ионизация к-рой сопровождается захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный пример А. п.- атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках IV группы - Ge и Si. В сложных полупроводниках А. п. могут быть атомы электроотрицат. элементов (О, S, Se, Те, С1 и др.), избыточные по отношению к составу, отвечающему стехиометрич. ф-ле. Введение А. п. сообщает данному полупроводнику дырочную проводимость, т. е. ионизация А. п. приводит к появлению дырок в валентной зоне, что описывается как переход электрона из валентной зоны на уровень А. п., расположенный в запрещённой зоне. А. п. характеризуется энергией, необходимой для такого перехода (энергией ионизации А. п. ). А. п. с энергией ионизации порядка тепловой энергии kT (мелкие А. п.) описываются водородоподобной моделью. Энергия ионизации такой А. п. в раз меньше энергии ионизации атома водорода ~10 эВ ( - диэлектрическая проницаемость полупроводника, - масса свободного электрона, - эффективная масса дырок) порядка 10-100 мэВ. Лит.: Бонч-БруевичВ. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977. Э. М. Эпштейн. (Источник: «Физическая энциклопедия». В 5-ти томах. М.: «Советская энциклопедия», 1988.)